Indžio arsenido InAs

apibūdinimas

Indžio arsenido InAs kristalas yra III-V grupės sudėtinis puslaidininkis, susintetintas bent 6N 7N gryno indžio ir arseno elemento ir išaugintas kaip vienas kristalas VGF arba Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) procesu, pilkos spalvos išvaizda, kubiniai kristalai su cinko mišinio struktūra , lydymosi temperatūra 942 °C.Indžio arsenido juostos tarpas yra tiesioginis perėjimas, identiškas galio arsenidui, o draudžiamas juostos plotis yra 0,45 eV (300 K).InAs kristalas turi didelį elektrinių parametrų vienodumą, pastovią gardelę, didelį elektronų mobilumą ir mažą defektų tankį.Cilindrinis InAs kristalas, užaugintas VGF arba LEC, gali būti supjaustytas ir pagamintas į pjaustytą plokštelę, išgraviruotą, poliruotą arba paruoštą MBE arba MOCVD epitaksiniam augimui.

Programos

Indžio arsenido kristalų plokštelė yra puikus pagrindas Holo įrenginiams ir magnetinio lauko jutikliui gaminti, nes yra didžiausias salės mobilumas, bet siauras energijos diapazonas, ideali medžiaga infraraudonųjų spindulių detektoriams, kurių bangos ilgio diapazonas yra 1–3,8 µm, naudojami didesnės galios įrenginiuose. kambario temperatūroje, taip pat vidutinio bangos ilgio infraraudonųjų spindulių supergardelių lazeriai, vidutinio infraraudonųjų spindulių šviesos diodų prietaisai, skirti 2–14 μm bangos ilgio diapazonui.Be to, InAs yra idealus substratas toliau palaikyti nevienalytę InGaAs, InAsSb, InAsPSb ir InNAsSb arba AlGaSb supergardelės struktūrą ir kt.

Užklausa dabar

Detalės

Žymos

Techninė specifikacija

Indžio arsenidas

InAs

Indžio arsenido kristalinė plokštelėyra puikus substratas Holo prietaisams ir magnetinio lauko jutikliui gaminti dėl savo aukščiausios salės mobilumo, bet siauros energijos juostos, ideali medžiaga infraraudonųjų spindulių detektoriams, kurių bangos ilgio diapazonas yra 1–3,8 µm, konstruoti, naudojamiems didesnės galios įrenginiuose kambario temperatūroje. taip pat vidutinio bangos ilgio infraraudonųjų spindulių supergardelių lazeriai, vidutinio infraraudonųjų spindulių šviesos diodų prietaisai, skirti 2–14 μm bangos ilgio diapazonui.Be to, InAs yra idealus substratas toliau palaikyti nevienalytę InGaAs, InAsSb, InAsPSb ir InNAsSb arba AlGaSb supergardelės struktūrą ir kt.

Nr.	Daiktai	Standartinė specifikacija
1	Dydis	2"	3"	4"
2	Skersmuo mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Augimo metodas	LEC	LEC	LEC
4	Laidumas	P tipo / Zn legiruotas, N tipo / S legiruotas, Neleguotas
5	Orientacija	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Storis μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientacija Plokščias mm	16±2	22±2	32±2
8	Identifikavimas Plokščias mm	8±1	11±1	18±1
9	Judrumas cm2/Vs	60–300, ≥ 2000 arba pagal poreikį
10	Nešiklio koncentracija cm-3	(3-80)E17 arba ≤5E16
11	TTV μm maks	10	10	10
12	Lankas μm maks	10	10	10
13	Metimo μm maks	15	15	15
14	Dislokacijos tankis cm-2 maks	1000	2000 m	5000
15	Paviršiaus apdaila	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakavimas	Viena vaflių talpykla, uždaryta aliuminio maišelyje.

Linijinė formulė	InAs
Molekulinė masė	189,74
Kristalinė struktūra	Cinko mišinys
Išvaizda	Pilka kristalinė kieta medžiaga
Lydymosi temperatūra	(936-942) °C
Virimo taškas	N/A
Tankis 300K	5,67 g/cm³
Energijos spraga	0,354 eV
Vidinė varža	0,16 Ω-cm
CAS numeris	1303-11-3
EB numeris	215-115-3

Indžio arsenido InAs„Western Minmetals (SC) Corporation“ gali būti tiekiama kaip polikristaliniai gabalėliai arba monokristaliniai pjaustyti, išgraviruoti, poliruoti arba paruošti 2" 3" ir 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm) skersmens plokštelės ir p tipo, n tipo arba be legiruoto laidumo ir <111> arba <100> orientacijos.Pritaikyta specifikacija yra puikus sprendimas mūsų klientams visame pasaulyje.