Galio antimonido GaSb

apibūdinimas

Galio antimonido GaSb, III-V grupės junginių puslaidininkis, turintis cinko mišinio gardelės struktūrą, yra sintezuojamas 6N 7N didelio grynumo galio ir stibio elementų ir LEC metodu išauginamas iki kristalo iš kryptingai šaldyto polikristalinio luito arba VGF metodu, kurio EPD <1000cm.^-3.GaSb plokštelę galima supjaustyti į gabalus ir vėliau pagaminti iš vieno kristalinio luito, kurio elektriniai parametrai yra vienodi, unikalios ir pastovios grotelių struktūros, mažas defektų tankis, didžiausias lūžio rodiklis nei dauguma kitų nemetalinių junginių.GaSb gali būti apdorojamas naudojant platų pasirinkimą tikslios arba išjungtos orientacijos, mažos arba didelės dopingo koncentracijos, geros paviršiaus apdailos ir MBE arba MOCVD epitaksinio augimo.Galio antimonido substratas naudojamas pažangiausiuose fotooptiniuose ir optoelektroniniuose įrenginiuose, pavyzdžiui, gaminant fotodetektorius, ilgaamžiškus, didelio jautrumo ir patikimumo infraraudonųjų spindulių detektorius, fotorezisto komponentą, infraraudonuosius šviesos diodus ir lazerius, tranzistorius, terminius fotovoltinius elementus. ir termo-fotovoltinės sistemos.

Pristatymas

„Western Minmetals (SC) Corporation“ gali pasiūlyti „n-tipo“, „p“ tipo ir be legiruoto pusiau izoliacinio laidumo, kurio skersmuo yra 2” 3” ir 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm), orientacija <111> arba <100>, ir su pjaustytų, išgraviruotų, poliruotų arba aukštos kokybės epitaksijai paruoštų paviršių apdaila.Visi pjūviai yra individualiai nubraižyti lazeriu, kad būtų galima nustatyti tapatybę.Tuo tarpu polikristalinio galio antimonido GaSb gumulas pagal pageidavimą taip pat pritaikomas tobulam sprendimui.

Užklausa dabar

Detalės

Žymos

Techninė specifikacija

Galio antimonidas

GaSb

Galio antimonido GaSbsubstratas naudojamas pažangiausiuose fotooptiniuose ir optoelektroniniuose įrenginiuose, pvz., gaminant fotodetektorius, ilgo naudojimo, didelio jautrumo ir patikimumo infraraudonųjų spindulių detektorius, fotorezisto komponentą, infraraudonuosius šviesos diodus ir lazerius, tranzistorius, terminius fotovoltinius elementus ir termoelementus. - fotovoltinės sistemos.

	Daiktai	Standartinė specifikacija
1	Dydis	2"	3"	4"
2	Skersmuo mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Augimo metodas	LEC	LEC	LEC
4	Laidumas	P tipo / Zn legiruotas, Neleguotas, N tipas / Te legiruotas
5	Orientacija	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Storis μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientacija Plokščias mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikavimas Plokščias mm	8±1	11±1	18±1
9	Judrumas cm2/Vs	200-3500 arba pagal poreikį
10	Nešiklio koncentracija cm-3	(1-100)E17 arba pagal poreikį
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Lankas μm maks	15	15	15
13	Metimo μm maks	20	20	20
14	Dislokacijos tankis cm-2 maks	500	1000	2000 m
15	Paviršiaus apdaila	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakavimas	Viena vaflių talpykla, uždaryta aliuminio maišelyje.

Linijinė formulė	GaSb
Molekulinė masė	191.48
Kristalinė struktūra	Cinko mišinys
Išvaizda	Pilka kristalinė kieta medžiaga
Lydymosi temperatūra	710°C
Virimo taškas	N/A
Tankis 300K	5,61 g/cm³
Energijos spraga	0,726 eV
Vidinė varža	1E3 Ω-cm
CAS numeris	12064-03-8
EB numeris	235-058-8

Galio antimonido GaSb„Western Minmetals (SC) Corporation“ gali pasiūlyti n tipo, p tipo ir neleguotą pusiau izoliacinį laidumą, kurio skersmuo yra 2" 3" ir 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm), orientacija <111> arba <100 > ir su pjaustytų, išgraviruotų, poliruotų arba aukštos kokybės epitaksijai paruoštų paviršių apdaila.Visi pjūviai yra individualiai nubraižyti lazeriu, kad būtų galima nustatyti tapatybę.Tuo tarpu polikristalinio galio antimonido GaSb gumulas pagal pageidavimą taip pat pritaikomas tobulam sprendimui.