FZ NTD silicio plokštelė

apibūdinimas

FZ-NTD silicio plokštelė, žinomas kaip plūduriuojančios zonos neutronų transmutacijos legiruotas silicio plokštelė.Galima gauti deguonies neturintį, didelio grynumo ir didžiausios varžos silicį by plūduriuojančios zonos FZ (zonoje plūduriuojantis) kristalų augimas, Hdidelės varžos FZ silicio kristalas dažnai legiruojamas naudojant neutronų transmutacijos dopingo (NTD) procesą, kurio metu neutronai apšvitinami ant neleguoto plūduriuojančios zonos silicio, kad silicio izotopai būtų įstrigę su neutronais, o paskui suyra į norimus priedus, kad būtų pasiektas dopingo tikslas.Reguliuojant neutronų spinduliuotės lygį, savitoji varža gali būti pakeista neįvedant išorinių priedų ir taip užtikrinamas medžiagos grynumas.FZ NTD silicio plokštelės (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) pasižymi aukščiausiomis techninėmis savybėmis – vienoda dopingo koncentracija ir tolygus radialinės varžos pasiskirstymas, mažiausi priemaišų lygiai,ir ilgas mažumos operatorių tarnavimo laikas.

Pristatymas

Kaip rinkoje pirmaujantis NTD silicio tiekėjas, teikiantis daug žadančių galių, ir atsižvelgiant į augančius aukščiausios kokybės plokštelių poreikius, puiki FZ NTD silicio plokštelė„Western Minmetals (SC) Corporation“ gali pasiūlyti savo klientams visame pasaulyje įvairių dydžių, nuo 2 colių, 3 colių, 4 colių, 5 colių ir 6 colių skersmens (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm ir 150 mm) ir plataus varžos diapazono. Nuo 5 iki 2000 omų.cm <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> orientacijomis su pjaustytu, išgraviruotu, išgraviruotu ir poliruotu paviršiaus apdaila putplasčio dėžutėje arba kasetėje , arba kaip pritaikytą specifikaciją tobulam sprendimui.

Užklausa dabar

Detalės

Žymos

Techninė specifikacija

FZ NTD silicio plokštelė

Kaip rinkoje pirmaujantis FZ NTD silicio tiekėjas perspektyvioms galios reikmėms ir atsižvelgiant į augančius aukščiausios kokybės plokštelių poreikius, „Western Minmetals (SC) Corporation“ aukščiausios kokybės FZ NTD silicio plokštelė gali būti pasiūlyta mūsų klientams visame pasaulyje įvairaus dydžio nuo 2 ″ iki 6″ skersmens (50, 75, 100, 125 ir 150 mm) ir platus varžos diapazonas nuo 5 iki 2000 omų-cm <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> orientacijos su padengto, išgraviruoto ir poliruoto paviršiaus apdaila putplasčio dėžutėje arba kasetėje, kartoninėje dėžutėje išorėje arba kaip pritaikyta specifikacija tobulam sprendimui.

Nr.	Daiktai	Standartinė specifikacija
1	Dydis	2"	3"	4"	5"	6"
2	Skersmuo	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	125±0,5	150±0,5
3	Laidumas	n tipo	n tipo	n tipo	n tipo	n tipo
4	Orientacija	<100>, <111>, <110>
5	Storis μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 arba pagal poreikį
6	Atsparumas Ω-cm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 arba pagal poreikį
7	RRV maks	8%, 10%, 12%
8	TTV μm maks	10	10	10	10	10
9	Lankas / metmenys μm maks	30	30	30	30	30
10	Vežėjo tarnavimo laikas μs	>200, >300, >400 arba pagal poreikį
11	Paviršiaus apdaila	Kaip pjaustytas, perlenktas, poliruotas
12	Pakavimas	Putplasčio dėžutė viduje, kartoninė dėžutė išorėje.

Pagrindinis medžiagos parametras

Simbolis	Si
Atominis skaičius	14
Atominis svoris	28.09
Elemento kategorija	Metaloidas
Grupė, laikotarpis, blokas	14, 3, P
Kristalinė struktūra	Deimantas
Spalva	Tamsiai pilka
Lydymosi temperatūra	1414°C, 1687,15 K
Virimo taškas	3265°C, 3538,15 K
Tankis 300K	2,329 g/cm³
Vidinė varža	3,2E5 Ω-cm
CAS numeris	7440-21-3
EB numeris	231-130-8

FZ-NTD silicio plokštelėyra ypač svarbus taikant didelės galios, detektorių technologijas ir puslaidininkinius įrenginius, kurie turi veikti ekstremaliomis sąlygomis arba kai reikalingas mažas varžos pokytis visoje plokštelėje, pvz., išjungiamasis tiristorius GTO, statinės indukcinis tiristorius SITH, milžiniškas tranzistorius GTR, izoliacinis dvipolis tranzistorius IGBT, papildomas HV diodo PIN kodas.FZ NTD n tipo silicio plokštelė taip pat yra pagrindinė funkcinė medžiaga įvairiems dažnio keitikliams, lygintuvams, didelės galios valdymo elementams, naujiems galios elektroniniams prietaisams, fotoelektroniniams įrenginiams, silicio lygintuvui SR, silicio valdymui SCR ir optiniams komponentams, tokiems kaip lęšiai ir langai. terahercinėms programoms.