Galio fosfido GaP

apibūdinimas

Galio fosfidas GaP, svarbus puslaidininkis, turintis unikalių elektrinių savybių, kaip ir kitos III-V junginių medžiagos, kristalizuojasi termodinamiškai stabilioje kubinėje ZB struktūroje, yra oranžinės geltonos spalvos pusiau permatoma kristalinė medžiaga, kurios netiesioginis juostos tarpas yra 2,26 eV (300 K). susintetintas iš 6N 7N didelio grynumo galio ir fosforo ir išaugintas į vientisą kristalą naudojant Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) techniką.Galio fosfido kristalas yra legiruotas siera arba telūru, kad būtų gautas n-tipo puslaidininkis, o cinkas legiruotas kaip p-tipo laidumas, kad būtų galima toliau gaminti į pageidaujamą plokštelę, kurią galima pritaikyti optinėje sistemoje, elektroniniuose ir kituose optoelektronikos įrenginiuose.Single Crystal GaP plokštelė gali būti paruošta Epi-Ready jūsų LPE, MOCVD ir MBE epitaksiniam pritaikymui.Aukštos kokybės monokristalinės galio fosfido GaP plokštelės p-tipo, n-tipo arba be legiruoto laidumo „Western Minmetals (SC) Corporation“ gali būti siūlomos 2 colių ir 3 colių dydžio (50 mm, 75 mm skersmens), orientacija <100>, <111 > su pjovimo, poliruoto arba paruošto paviršiaus apdaila.

Programos

Dėl mažos srovės ir didelio efektyvumo šviesą skleidžiančios Gallium phosphide GaP plokštelės tinka optinėms ekranų sistemoms kaip pigūs raudoni, oranžiniai ir žali šviesos diodai (LED), geltonos ir žalios LCD ir tt foninis apšvietimas bei LED lustų gamyba. Mažo ir vidutinio ryškumo GaP taip pat plačiai naudojamas kaip pagrindinis infraraudonųjų spindulių jutiklių ir stebėjimo kamerų gamybos pagrindas.

Užklausa dabar

Detalės

Žymos

Techninė specifikacija

Galio fosfido GaP

Aukštos kokybės monokristalinės Gallium Phosphide GaP plokštelės arba substrato p-tipo, n-tipo arba neleguotas laidumas iš Western Minmetals (SC) Corporation gali būti siūlomi 2 colių ir 3 colių (50 mm, 75 mm) skersmens, orientacija <100> , <111> su pjaustyto paviršiaus apdaila, išgraviruotas, išgraviruotas, poliruotas, apdorotas viename plokšteliniame konteineryje, uždarytame aliuminio kompoziciniame maišelyje arba pagal pritaikytą specifikaciją, kad būtų pasiektas puikus sprendimas.

Nr.	Daiktai	Standartinė specifikacija
1	GaP dydis	2"
2	Skersmuo mm	50,8 ± 0,5
3	Augimo metodas	LEC
4	Laidumo tipas	P tipo / legiruotas Zn, N tipo / (S, Si, Te) legiruotas, Neleguotas
5	Orientacija	<1 1 1> ± 0,5°
6	Storis μm	(300–400) ± 20
7	Atsparumas Ω-cm	0,003-0,3
8	Orientacija Plokščias (OF) mm	16±1
9	Identifikavimas Plokščias (IF) mm	8±1
10	Salė Judrumas cm2/Vs min	100
11	Nešiklio koncentracija cm^-3	(2-20) E17
12	Dislokacijos tankis cm^-2maks	2.00E+05
13	Paviršiaus apdaila	P/E, P/P
14	Pakavimas	Viena vaflių talpykla, uždaryta aliuminio kompoziciniame maišelyje, kartoninė dėžutė išorėje

Linijinė formulė	GaP
Molekulinė masė	100.7
Kristalinė struktūra	Cinko mišinys
Išvaizda	Oranžinė kieta
Lydymosi temperatūra	N/A
Virimo taškas	N/A
Tankis 300K	4,14 g/cm³
Energijos spraga	2,26 eV
Vidinė varža	N/A
CAS numeris	12063-98-8
EB numeris	235-057-2

Gallio fosfido GaP plokštelė, su maža srove ir dideliu šviesos efektyvumu, tinka optinėms ekranų sistemoms, kaip pigūs raudonos, oranžinės ir žalios šviesos diodai (LED), geltonos ir žalios LCD ir tt foninis apšvietimas bei LED lustų gamyba su mažu ir vidutiniu ryškumas, GaP taip pat plačiai naudojamas kaip pagrindinis infraraudonųjų spindulių jutiklių ir stebėjimo kamerų gamybos pagrindas.