FZ silicio plokštelė

apibūdinimas

FZ vieno kristalo silicio plokštelė,Plūduriuojančios zonos (FZ) silicis yra ypač grynas silicis, kuriame yra labai maža deguonies ir anglies priemaišų koncentracija, ištraukiama vertikalios plūduriuojančios zonos rafinavimo technologija.FZ plūduriuojanti zona yra vieno kristalo luito auginimo metodas, kuris skiriasi nuo CZ metodo, kai sėklinis kristalas yra pritvirtintas po polikristalinio silicio luitu, o siena tarp sėklinio kristalo ir polikristalinio kristalo silicio yra išlydoma RF ritės indukciniu kaitinimu monokristalizacijai.RF ritė ir ištirpusi zona juda aukštyn, o vienas kristalas atitinkamai sukietėja ant sėklinio kristalo.Plūduriuojančios zonos siliciui užtikrinamas vienodas priemaišų pasiskirstymas, mažesnis varžos pokytis, ribojamas priemaišų kiekis, ilgas nešiklio tarnavimo laikas, didelės varžos tikslas ir didelio grynumo silicis.Plūduriuojančios zonos silicis yra didelio grynumo kristalų, išaugintų Czochralski CZ metodu, alternatyva.Dėl šio metodo savybių FZ Single Crystal Silicon idealiai tinka naudoti gaminant elektroninius prietaisus, tokius kaip diodai, tiristoriai, IGBT, MEMS, diodai, RF įrenginiai ir galios MOSFET, arba kaip didelės skiriamosios gebos dalelių ar optinių detektorių substratas. , maitinimo įrenginiai ir jutikliai, didelio efektyvumo saulės elementai ir kt.

Pristatymas

„FZ Single Crystal Silicon Wafer N“ ir „P“ tipo laidumas iš „Western Minmetals“ (SC) Corporation gali būti tiekiamas 2, 3, 4, 6 ir 8 colių (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm ir 200 mm) dydžio ir orientacija <100>, <110>, <111> su As-cut paviršiaus apdaila, padengta, išgraviruota ir poliruota putplasčio dėžutėje arba kasetėje su kartonine dėže išorėje.