CZ Silicio plokštelė

apibūdinimas

CZ vieno kristalo silicio plokštelė yra supjaustytas iš monokristalinio silicio luito, ištraukto taikant Czochralski CZ augimo metodą, kuris plačiausiai naudojamas silicio kristalams auginti dideliuose cilindriniuose luituose, naudojamuose elektronikos pramonėje puslaidininkiniams įtaisams gaminti.Šiame procese į išlydyto silicio vonią, kurios temperatūra yra tiksliai kontroliuojama, įterpiama plona kristalinio silicio sėkla su tiksliais orientacijos nuokrypiais.Sėklinis kristalas lėtai traukiamas aukštyn iš lydalo labai kontroliuojamu greičiu, kristalinis atomų kietėjimas iš skystos fazės vyksta sąsajoje, sėklinis kristalas ir tiglis šio pašalinimo proceso metu sukasi priešingomis kryptimis, sukuriant didelį vieną kristalinis silicis su puikia sėklos kristaline struktūra.

Dėl magnetinio lauko, taikomo standartiniam CZ luito traukimui, magnetinio lauko sukeltas Czochralski MCZ monokristalinis silicis yra palyginti mažesnės priemaišų koncentracijos, mažesnio deguonies lygio ir dislokacijos bei vienodo varžos kitimo, kuris gerai veikia aukštųjų technologijų elektroniniuose komponentuose ir įrenginiuose. gamyba elektronikos ar fotovoltinės pramonės srityse.

Pristatymas

CZ arba MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-tipo ir p-tipo laidumas iš Western Minmetals (SC) Corporation gali būti tiekiamas 2, 3, 4, 6, 8 ir 12 colių skersmens (50, 75, 100, 125, 150, 200 ir 300 mm), orientacija <100>, <110>, <111> paviršius padengtas, išgraviruotas ir poliruotas putplasčio dėžutėje arba kasetėje su kartonine dėže išorėje.

Užklausa dabar

Detalės

Žymos

Techninė specifikacija

CZ Silicio plokštelė

CZ vieno kristalo silicio plokštelė yra pagrindinė medžiaga gaminant integrinius grandynus, diodus, tranzistorius, atskirus komponentus, naudojamus visų tipų elektroninėje įrangoje ir puslaidininkiniuose įrenginiuose, taip pat substratas epitaksiniam apdorojimui, SOI plokštelių substratui arba pusiau izoliacinių junginių plokštelių gamybai, ypač dideliems. 200 mm, 250 mm ir 300 mm skersmuo yra optimalus gaminant itin integruotus įrenginius.Single Crystal Silicon taip pat dideliais kiekiais naudojamas saulės elementams fotoelektros pramonėje, kuri beveik tobula kristalų struktūra užtikrina didžiausią šviesos ir elektros konversijos efektyvumą.

Nr.	Daiktai	Standartinė specifikacija
1	Dydis	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Skersmuo mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Laidumas	P arba N arba be legiruoto
4	Orientacija	<100>, <110>, <111>
5	Storis μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 arba pagal poreikį
6	Atsparumas Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 ir tt
7	RRV maks	8%, 10%, 12%
8	Pirminis plokščias/ilgis mm	Pagal SEMI standartą arba pagal poreikį
9	Antrinis Plokščias/Ilgis mm	Pagal SEMI standartą arba pagal poreikį
10	TTV μm maks	10	10	10	10	10	10
11	Lankas ir metmenys μm maks	30	30	30	30	30	30
12	Paviršiaus apdaila	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Pakavimas	Putplasčio dėžutė arba kasetė viduje, kartoninė dėžutė išorėje.

Simbolis	Si
Atominis skaičius	14
Atominis svoris	28.09
Elemento kategorija	Metaloidas
Grupė, laikotarpis, blokas	14, 3, P
Kristalinė struktūra	Deimantas
Spalva	Tamsiai pilka
Lydymosi temperatūra	1414°C, 1687,15 K
Virimo taškas	3265°C, 3538,15 K
Tankis 300K	2,329 g/cm³
Vidinė varža	3,2E5 Ω-cm
CAS numeris	7440-21-3
EB numeris	231-130-8

CZ arba MCZ vieno kristalo silicio plokštelė„Western Minmetals“ (SC) Corporation n ir p tipo laidumas gali būti tiekiamas 2, 3, 4, 6, 8 ir 12 colių skersmens (50, 75, 100, 125, 150, 200 ir 300 mm), Orientacija <100>, <110>, <111> su pjaustytu, išgraviruotu, išgraviruotu ir poliruoto paviršiaus apdaila putplasčio dėžutėje arba kasetėje su kartonine dėže išorėje.